Новости

28 сентября 2023

Optical and Quantum Electronics

M.V. Trigub, P.I. Gembukh, K.Yu. Semenov. CoolMOS based high‑voltage power supply with PRF up to 200 kHz for metal vapor active media excitation

М.В. Тригуб, П.И. Гембух, К.Ю. Семенов. Высоковольтный источник возбуждения активных сред на парах металлов на основе CoolMOS-транзисторов с ЧСИ до 200 кГц

Российская академия наук, новости, 2 октября 2023:
Создан высоковольтный полупроводниковый источник возбуждения активных сред

Молодые ученые Лаборатории квантовой электроники ИОА СО РАН разработали и исследовали полупроводниковый источник возбуждения активных сред на самоограниченных перехода атомов металлов с частотой следования импульсов (ЧСИ) до 200 кГц в импульсно-периодическом режиме. Источник высоковольтных импульсов возбуждения выполнен на основе концепции LTD-генератора (драйвер линейного трансформатора) с одновитковым повышающим трансформатором. Проведен расчет и обоснован выбор элементов источника питания исходя из типовых режимов возбуждения активной среды в парах бромида меди. Работоспособность источника проверена при возбуждении малогабаритного лазера (длина активной зоны составляла 20 см) на парах бромида меди. Средняя мощность генерации составляла 650 мВт при частоте повторения импульсов 150 кГц, а с учетом объема активной среды удельная энергия импульса генерации составляла 160 мкДж/см3.

Коммутационный узел

Профиль генерации лазера при ЧСИ 150 кГц

Исследования выполнены в рамках Государственного задания ИОА СО РАН и поддержаны Российским научным фондом (РНФ), грант № 19-79-10096-П.